Samsung’un, Nvidia’nın özel yüksek bant genişlikli belleği NVHBM’de kullanılacak taban yongasını TSMC’nin 3 nanometre üretim süreciyle üretmeyi kabul ettiği öne sürüldü. Sektör kaynaklarına dayandırılan iddiaya göre olası iş birliği, Samsung ile TSMC’yi ilk kez HBM üretiminin bir aşamasında buluşturabilir; şirketlerden henüz resmî bir açıklama gelmedi.
Nvidia üç bellek üreticisine aynı talebi iletti
Seoul Economic Daily’nin 18 Ekim tarihli haberinde, Nvidia’nın NVHBM için Samsung, SK hynix ve Micron’a ortak teknik koşullar sunduğu aktarılıyor. İddiaya göre şirketlerden taban yongalarında TSMC’nin 3 nanometre sürecini, veri depolayan bellek katmanlarında ise altıncı nesil 1c DRAM teknolojisini kullanmaları istendi. Samsung’un kurum içi değerlendirmesinin ardından bu koşulları kabul ettiği belirtiliyor.
Bu üretim düzeni, Samsung’un belleğin tamamını TSMC’ye yaptıracağı anlamına gelmiyor. İddia, bellek katmanlarının altındaki mantık devresinin üretim süreciyle ilgili. Taraflar arasında böyle bir iş bölümünün kesinleştiği ise şirketlerce doğrulanmış değil.
NVHBM taban yongası neden öne çıkıyor?
Nvidia’nın 26 Ağustos’ta duyurduğu NVHBM mimarisi, normalde ana işlemcide bulunan bellek denetleyicisini üç boyutlu HBM yığınının içine taşıyor. Bu sayede işlemci üzerinde hesaplama birimlerine daha fazla alan ayrılması hedefleniyor. Teknoloji, kendi yapay zekâ işlemcilerini Nvidia altyapısıyla bir araya getirmek isteyen NVLink Fusion müşterilerine yönelik geliştiriliyor.
Nvidia, standart HBM4E ile karşılaştırıldığında NVHBM’nin bellek bant genişliğini yüzde 30’a kadar artıracağını, HBM güç tüketimini yüzde 15 azaltacağını ve ana işlemcide hesaplamaya ayrılabilecek alanı yüzde 25’e kadar genişleteceğini bildiriyor. Bunlar şirketin açıkladığı değerler; Samsung ile TSMC’nin olası ortak üretimine ilişkin bağımsız test sonuçları olarak sunulmuyor.
Nvidia’nın birden fazla tedarikçiden alınabilen ortak bir NVHBM tasarımı oluşturma hedefi de gündemde. Şirket, benzer şekilde çalışan standart belleklerin sisteme entegrasyon ve doğrulama için gereken mühendislik yükünü azaltabileceğini belirtiyor. Bu bakımdan iddia, yalnızca iki üreticinin aynı projede yer almasıyla değil, farklı tedarikçilerden gelen belleklerin uyumlu çalışması hedefiyle de ilgili.
Samsung’un üretim modeli değişecek mi?
Samsung, şubat ayında duyurduğu HBM4 üretiminde kendi 1c DRAM teknolojisini 4 nanometre mantık taban yongasıyla birleştirdiğini açıklamıştı. Bellek, dökümhane ve gelişmiş paketleme faaliyetlerini aynı şirket bünyesinde yürütmesi, Samsung’un müşterilerine sunduğu üretim modelinin temel unsurlarından biri.
Seoul Economic Daily’nin haberine göre Samsung, standart HBM ürünlerinde ve diğer müşteriler için geliştirdiği özel belleklerde kendi üretim yöntemini sürdürecek. TSMC kapasitesinin talebi karşılayamaması durumunda NVHBM taban yongasını kendi dökümhanesinde üretme seçeneği de değerlendiriliyor. Bu nedenle iddia, Samsung’un HBM üretiminden çekildiği ya da taban yongalarının tüm üretimini dışarı taşıdığı anlamına gelmiyor. TSMC’nin 3 nanometre sürecinin kullanımına ve olası görev paylaşımına ilişkin ayrıntılar için şirketlerin açıklaması bekleniyor.
